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TSMC ahora espera que el mercado de semiconductores supere los 1,5 billones de dólares

byEmre Çıtak
15 mayo 2026
in Industria, It
Home Industria
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TSMC pronostica que el mercado mundial de semiconductores superará los 1,5 billones de dólares para 2030, frente a una estimación anterior de 1,0 billón de dólares, según Reuters. La compañía atribuyó este aumento sustancial a la creciente demanda de silicio de IA, proyectando que el 55% del mercado surgirá de la IA y la informática de alto rendimiento, mientras que los teléfonos inteligentes contribuirán con el 20% y los automóviles representarán el 10%.

Se espera que la demanda de obleas aceleradoras de IA aumente 11 veces en 2023 en comparación con 2022, lo que indica un crecimiento significativo a corto plazo en el sector. TSMC está respondiendo a esta demanda acelerando la construcción de nuevas instalaciones de producción más allá de Taiwán.

En Estados Unidos, la planta de TSMC en Arizona, con la ayuda de una subvención de 6.600 millones de dólares del gobierno estadounidense, ya está produciendo chips de 4 nm, con planes de hacer la transición a la producción de 3 nm y 2 nm en el futuro. Una segunda fábrica en Arizona está a punto de completarse y recibirá maquinaria avanzada para fabricar chips a finales de este año. Además, TSMC está construyendo actualmente una tercera fábrica en Arizona, con planes para una cuarta instalación y también un sitio de embalaje avanzado. Se prevé que las operaciones de Arizona experimenten un aumento de 1,8 veces en la producción interanual, logrando rendimientos comparables a los de las fábricas de la compañía en Taiwán.

TSMC también opera una planta de fabricación en Japón que produce chips más antiguos de 22 nm y 28 nm, principalmente para componentes automotrices y aplicaciones de bajo consumo. Está previsto que una segunda instalación en Japón comience a producir chips de 3 nm. Además, TSMC está desarrollando una planta en Alemania, que comenzará con la fabricación de piezas de 22 nm y 28 nm, con la intención de ampliar las capacidades a 16 nm y 12 nm en una etapa posterior.

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