Samsung Electronics ha logrado un avance significativo en el mercado de memorias de alto ancho de banda, con su memoria HBM4 de próxima generación superando a sus competidores en pruebas de velocidad y eficiencia energética para el próximo acelerador Vera Rubin AI de Nvidia, según Periódico empresarial Maeil. Durante una visita la semana pasada, representantes de Nvidia confirmaron que Samsung entregó «los mejores resultados en la industria de la memoria», lo que provocó una solicitud de volúmenes de suministro que excedieron con creces las proyecciones internas de Samsung. Este éxito marca un cambio dramático con respecto a la generación HBM3E, donde Samsung estaba por detrás de sus rivales por casi un año. El cambio se atribuye a una estrategia técnica de alto riesgo en la que Samsung se saltó por completo el proceso D1b DRAM para avanzar directamente al proceso D1c de 10 nanómetros. Al combinar esta nueva DRAM con matrices lógicas producidas mediante un proceso de fundición de 4 nanómetros, Samsung se convirtió en el primer fabricante en alcanzar velocidades de transferencia de datos superiores a los 11 gigabits por segundo. Si bien SK hynix mantiene una ventaja de aproximadamente tres meses (ya ha comenzado a suministrar muestras pagas), Samsung ha logrado reducir la brecha con respecto a la generación anterior. Los datos de mercado reflejan esta recuperación: Samsung recuperó el segundo lugar en el mercado de HBM durante el tercer trimestre de 2025 con una participación del 22%, superando a Micron. Se espera que los contratos se formalicen en el primer trimestre de 2026, con entregas a gran escala programadas para el segundo trimestre para cumplir con el cronograma de Nvidia para el Vera Rubin Lanzamiento de la plataforma en el tercer trimestre de 2026.
