La memoria de gran ancho de banda HBM4 de próxima generación de Samsung Electronics debutará junto con el acelerador de inteligencia artificial Rubin de NVIDIA en la conferencia GTC 2026 en marzo, luego de las pruebas finales de calidad aprobadas con NVIDIA y AMD. Un artículo exclusivo de biz.sbs.co.kr afirma que Samsung ha aprobado las evaluaciones de calidad finales para HBM4 tanto de NVIDIA como de AMD. La producción en masa del HBM4 comenzará el próximo mes. Las unidades producidas en masa y enviadas desde Samsung en febrero llegarán a NVIDIA para su uso en la demostración del desempeño de Rubin en el evento GTC de marzo. HBM4 de Samsung funciona a 11,7 gigabits por segundo, la especificación más alta de la industria. Esto supera los 10 gigabits por segundo que exigen NVIDIA y AMD. El año pasado, la memoria pasó la verificación sin ningún rediseño, incluso después de que los clientes solicitaron mejoras de rendimiento. Este resultado demuestra la integridad tecnológica del diseño HBM4 de Samsung. La industria de semiconductores informó sobre estos desarrollos el día 25. Las valoraciones dentro del sector indican que la tecnología de memoria de Samsung se ha estabilizado con este envío de HBM4. En HBM4 se han abordado las brechas tecnológicas anteriores con los competidores, evidentes durante las fases HBM3 y HBM3E. Samsung ahora entra en una fase de recuperación de su anterior posición de liderazgo en productos. Se prevé que el suministro a gran escala de HBM4 en grandes volúmenes se produzca alrededor de junio. HBM4 se integra directamente en aceleradores de IA como Rubin de NVIDIA, vinculando su disponibilidad a los cronogramas de los clientes para la producción en masa del producto final. Actualmente, los principales clientes producen chips de próxima generación a través de fundiciones. En consecuencia, Samsung ajusta los volúmenes de envío de HBM4 para alinearse con los cronogramas de producción en masa reales y las cantidades especificadas de estos clientes.
